ترانزیستور بدون پیوند بر اساس پلاسمای بار، ایمن نسبت به تغییرات فرایند ساخت

مقاله ترجمه شده: ترانزیستور بدون پیوند و بدون آلایش ......

عنوان مقاله به انگلیسی: Charge-Plasma Based Process Variation Immune Junctionless Transistor

این مقاله یکی از منابع اصلی در زمینه ترانزیستورهای بدون پیوند و بدون آلایش است

دانلود مقاله انگلیسی: دانلود

این مقاله با کیفیت خوب ترجمه شده است و در اختیارتان قرار گرفته است

نمونه ترجمه:دانلود نمونه فارسی مقاله

آنچه که بعد از خرید در اختیارتان قرار می گیرد: 1. فایل WORD فارسی مقاله، 2. فایل PDF فارسی مقاله، 3. فایل انگلیسی مقاله

خلاصه:

در این مقاله، ما برای اولین بار یک رویکرد متمایز برای ساخت ترانزیستور بدون پیوند بدون آلایش را ارائه می‌دهیم. ایده پلاسمای بار برای القای ناحیه-n به منظور تشکیل سورس و درین در یک ترانزیستور بدون پیوند JLT به کار گرفته شده است که توسط تابع کار مناسب الکترودها صورت می‌گیرد. خصوصصیات الکتریکی افزاره معرفی شده شبیه سازی شده و با ترانزیستورهای آلایش شده‌ی مرسوم مقایسه شده است. در JLTهای مرسوم آلایش کانال به اندازه‌ای بالا در نظر گرفته می‌شود که جریان بالای روشنایی را تامین کند، اما این موضوع باعث تغییرات ولتاژ آستانه می‌شود که ممکن است در اثر تغییرات فرایند ساخت اتفاق بی‌افتد. افزاره معرفی شده مشکل تغییرات ولتاژ آستانه را بدون تاثیر گذاری روی خصوصیات JLT بهبود می‌دهد.

بخشی از مقدمه:

وقتی که کوچک سازی به اندازه گره 20 تا 10 نانومتر می‌رسد، ساخت پیوندهای p-n با شیب آلایش بالا، فرایندی بسیار پیچیده‌ای می‌شود. بنابراین، یک افزاره جدید معرفی شده است که شامل ساخت پیوند p-n نیست و با عنوان JLT شناخته می‌شود. که از نانوسیم سیلیکنی که به صورت یکنواخت شدیدا آلایش شده است تشکیل شده است. اگرچه، JLT عملکرد الکتریکی بهتری نظیر اثرات کانال کوتاه و جریان خاموش دارد، اما تغییرپذیری آن نسبت به تغییرات تصادفی ناخالصی (RDF) شدید است، و مشخص شده است که در ابعاد نانو مشکل جدی‌ای به حساب می‌آید. اثر RDF باعث ایجاد تغییرات شدید در ولتاژ آستانه و جریان خاموشی افزاره در شرایط آلایش شدید کانال می‌گردد ( بزرگتر از 10¹⁹ cm^-3)